Бутун дунёга машҳур IBM ва Samsung Electronics компаниялари яримўтказгичли микросхемаларни лойиҳалашда кутилмаган натижа кўрсатиб, «вертикал жойлаштирилган транзисторлар» – чиплар конструкциясини яратишга муваффақ бўлишди.

Бунда улардаги айрим таркибий қисмлар бир-бирига перпендикуляр жойлаштирилади ва қайта ишлашнинг биринчи босқичидаёқ тизим микросхемалар ишлашини икки баробарга оширади ёки энергия сарфини 85%га камайтиради.

Қизиғи, ушбу технология Мур қонунини четлаб ўтиш имконини беради. Яъни бир ҳафта зарядсиз ишлайдиган смартфонлар яратилади, дея маълум қилмоқда IBM.

Ҳамкорликдаги бу иш «вертикал транспорт майдонли транзисторлар» (VTFET) деб аталади. Тизим замонавий моделлардан тубдан фарқ қилади: транзисторлар кремний юзасида, бир-бирининг ёнида ётади ва электр токи бир томондан иккинчи тарафга ўтади. VTFET кўп қатламли конструкцияни ўз ичига олади – бундай процессорларда транзисторлар бир-бирига ҳам параллел, ҳам перпендикуляр жойлаштирилади, ток эса вертикал равишда оқади.

Engadget хабарига кўра, конструкция салоҳиятли мижозлар учун иккита асосий афзалликка эга. Аввало, чекловларни четлаб ўтиш ва келажакда Мур қонунини кенгайтириш имконини беради — муаллифлар мавжуд нанолист технологияси чегарасидан чиқишмоқчи. IBM ва Samsung ҳамкорлигида олиб борилган тадқиқотларга кўра, келажакда ҳатто тест намуналари процессорларнинг ҳисоблаш салоҳиятини икки баробарга оширади. Шунингдек, улар микросхема қувват сарфини 85% га камайтириши мумкин.

IT-гигантлари муҳандислари таъкидлашича, VTFET базасига асосланган смартфонлар ва бошқа истеъмолчи электроника бутун ҳафта давомида зарядсиз ишлай олиши мумкин.

Бундан ташқари, янги технология криптомайнингда асқатиши мумкин, деб ҳисоблайди IBM, – шу тариқа криптовалюталар ишлаб чиқариш янада энергия самарали бўлади ва шунга кўра атроф-муҳит учун кам зарарли жараёнга айланади.

Samsung ва IBM билан бир қаторда, Intel компанияларида ҳам шунга ўхшаш микросхемалар устида ишламоқда. 2025 йилдан кейинги технологик тараққиётга бағишланган яқинда ўтказилган тадқиқотга кўра, Intel таҳлилчилари тез орада йирик IT компаниялари уч ўлчамли чипларга ўта бошлашини маълум қилди — ишланмалар янада мураккаблашади ва қимматлашади, лекин технологияларнинг ўзлари эса янада самарали бўлади.

Бу йил бошида Массачусетс технология институти (MIT), Тайван Миллий университети (NTU) ва TSMC компаниясининг муҳандислари ҳам Мур қонунларини четлаб ўтишга тайёр эканликларини маълум қилишди.

Халқаро гуруҳ ярим металли висмут иштирокидаги жараённи ишлаб чиқди. Бу ярим ўтказгичларни 1-нм технологик жараёни даражасида ишлаб чиқариш имконини беради. Технология дастлабки синов босқичида бўлса-да, лекин муаллифлар деярли ҳар қандай электроника учун тўрт марта ишлаш кўрсаткичларини ваъда қилмоқдалар.