Butun dunyoga mashhur IBM va Samsung Electronics kompaniyalari yarimo‘tkazgichli mikrosxemalarni loyihalashda kutilmagan natija ko‘rsatib, «vertikal joylashtirilgan tranzistorlar» – chiplar konstruksiyasini yaratishga muvaffaq bo‘lishdi.

Bunda ulardagi ayrim tarkibiy qismlar bir-biriga perpendikulyar joylashtiriladi va qayta ishlashning birinchi bosqichidayoq tizim mikrosxemalar ishlashini ikki barobarga oshiradi yoki energiya sarfini 85%ga kamaytiradi.

Qizig‘i, ushbu texnologiya Mur qonunini chetlab o‘tish imkonini beradi. Ya’ni bir hafta zaryadsiz ishlaydigan smartfonlar yaratiladi, deya ma’lum qilmoqda IBM.

Hamkorlikdagi bu ish «vertikal transport maydonli tranzistorlar» (VTFET) deb ataladi. Tizim zamonaviy modellardan tubdan farq qiladi: tranzistorlar kremniy yuzasida, bir-birining yonida yotadi va elektr toki bir tomondan ikkinchi tarafga o‘tadi. VTFET ko‘p qatlamli konstruksiyani o‘z ichiga oladi – bunday protsessorlarda tranzistorlar bir-biriga ham parallel, ham perpendikulyar joylashtiriladi, tok esa vertikal ravishda oqadi.

Engadget xabariga ko‘ra, konstruksiya salohiyatli mijozlar uchun ikkita asosiy afzallikka ega. Avvalo, cheklovlarni chetlab o‘tish va kelajakda Mur qonunini kengaytirish imkonini beradi — mualliflar mavjud nanolist texnologiyasi chegarasidan chiqishmoqchi. IBM va Samsung hamkorligida olib borilgan tadqiqotlarga ko‘ra, kelajakda hatto test namunalari protsessorlarning hisoblash salohiyatini ikki barobarga oshiradi. Shuningdek, ular mikrosxema quvvat sarfini 85% ga kamaytirishi mumkin.

IT-gigantlari muhandislari ta’kidlashicha, VTFET bazasiga asoslangan smartfonlar va boshqa iste’molchi elektronika butun hafta davomida zaryadsiz ishlay olishi mumkin.

Bundan tashqari, yangi texnologiya kriptomayningda asqatishi mumkin, deb hisoblaydi IBM, – shu tariqa kriptovalyutalar ishlab chiqarish yanada energiya samarali bo‘ladi va shunga ko‘ra atrof-muhit uchun kam zararli jarayonga aylanadi.

Samsung va IBM bilan bir qatorda, Intel kompaniyalarida ham shunga o‘xshash mikrosxemalar ustida ishlamoqda. 2025 yildan keyingi texnologik taraqqiyotga bag‘ishlangan yaqinda o‘tkazilgan tadqiqotga ko‘ra, Intel tahlilchilari tez orada yirik IT kompaniyalari uch o‘lchamli chiplarga o‘ta boshlashini ma’lum qildi — ishlanmalar yanada murakkablashadi va qimmatlashadi, lekin texnologiyalarning o‘zlari esa yanada samarali bo‘ladi.

Bu yil boshida Massachusets texnologiya instituti (MIT), Tayvan Milliy universiteti (NTU) va TSMC kompaniyasining muhandislari ham Mur qonunlarini chetlab o‘tishga tayyor ekanliklarini ma’lum qilishdi.

Xalqaro guruh yarim metalli vismut ishtirokidagi jarayonni ishlab chiqdi. Bu yarim o‘tkazgichlarni 1-nm texnologik jarayoni darajasida ishlab chiqarish imkonini beradi. Texnologiya dastlabki sinov bosqichida bo‘lsa-da, lekin mualliflar deyarli har qanday elektronika uchun to‘rt marta ishlash ko‘rsatkichlarini va’da qilmoqdalar.